引線(xiàn)框架用銅合金大致分為銅一鐵系、銅一鎳-硅系、銅一鉻系、銅一鎳一錫系(JK--2合金)等，三元、四元等多元系銅合金能夠取得比傳統(tǒng)二元合金更優(yōu)的性能，更低的成本，銅一鐵系合金的牌號(hào)最多，具有較好的機(jī)械強(qiáng)度，抗應(yīng)力松弛特性和低蠕變性，是一類(lèi)很好的引線(xiàn)框架材料。由于引線(xiàn)框架制作及封裝應(yīng)用的需要，除高強(qiáng)度、高導(dǎo)熱性能外，對(duì)材料還要求有良好的釬焊性能、工藝性能、蝕刻性能、氧化膜粘接性能等。

 

　　材料向高強(qiáng)、高導(dǎo)電、低成本方向發(fā)展

 

　　在銅中加人少量的多種元素，在不明顯降低導(dǎo)電率的原則下，提高合金強(qiáng)度(使引線(xiàn)框架不易發(fā)生變形)和綜合性能，抗拉強(qiáng)度600Mpa以上，導(dǎo)電率大于80%IACS的材料是研發(fā)熱點(diǎn)。并要求銅帶材向高表面，精確板型，性能均勻，帶材厚度不斷變薄，從0.25mm向o.15mm、0.1mm逐步減薄，0.07一0.巧~的超薄化和異型化。

 

　　按照合金強(qiáng)化類(lèi)型可分為固溶型、析出型、析中型

 

　　從材料設(shè)計(jì)原理看，引線(xiàn)框架材料幾乎都是析出強(qiáng)化型合金，采用多種強(qiáng)化方法進(jìn)行設(shè)計(jì)，主要有形變強(qiáng)化、固溶強(qiáng)化(合金化強(qiáng)化)、晶粒細(xì)化強(qiáng)化、沉淀強(qiáng)化，加人適量的稀土元素可使材料的導(dǎo)電率提高1.5一3%IACS，有效地細(xì)化晶粒，可提高材料的強(qiáng)度，改善韌性，而對(duì)導(dǎo)電性的影響很小。從加工硬化與固溶硬化相結(jié)合和固溶一時(shí)效硬化以及復(fù)合強(qiáng)化等方面進(jìn)行研究，改進(jìn)材料性能。

 

　　隨著電子通訊等相關(guān)信息產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，對(duì)集成電路的需求越來(lái)越大，同時(shí)對(duì)其要求也越來(lái)越高?，F(xiàn)代電子信息技術(shù)的核心是集成電路，芯片和引線(xiàn)框架經(jīng)封裝形成集成電路。作為集成電路封裝的主要結(jié)構(gòu)材料，引線(xiàn)框架在電路中發(fā)揮著重要作用，例如承載芯片、連接芯片和外部線(xiàn)路板電信號(hào)、安裝固定等作用。

 

　　其主要功能有：連接外部電路和傳遞電信號(hào)；向外界散熱，發(fā)揮導(dǎo)熱作用；支撐和固定芯片的作用，其外殼整體支撐框架結(jié)構(gòu)通過(guò)IC組裝而成，保護(hù)內(nèi)部元器件。

 

　　可見(jiàn)，引線(xiàn)框架在集成電路器件和各組裝程序中作用巨大，如何有效改善引線(xiàn)框架材料導(dǎo)熱、導(dǎo)電、強(qiáng)度、硬度、高軟化溫度、耐熱性、抗氧化性、耐蝕性、焊接性、塑封性、反復(fù)彎曲性和加工成型性能等已成為集成電路發(fā)展過(guò)程中較為突出問(wèn)題。

 

　　電子信息產(chǎn)品不斷向小型化、薄型化、輕量化、高速化、多功能化和智能化發(fā)展，及集成電路向大規(guī)模和超大規(guī)模方向發(fā)展，促使引線(xiàn)框架向著引線(xiàn)節(jié)距微細(xì)化、多腳化的方向發(fā)展。這就要求引線(xiàn)框架材料的各種性能更加優(yōu)異和全面。

 

　　主要凸顯在以下幾方面：

 

　?、僖€(xiàn)框架的微型化要求其應(yīng)具有更高的強(qiáng)度和硬度；

 

　　②集成電路的高集成度、高密度化使其散發(fā)的單位體積熱量更多，這就要求引線(xiàn)框架材料有優(yōu)越的導(dǎo)熱性；

 

　?、坭b于電容和電感效應(yīng)會(huì)造成不良影響，良好的導(dǎo)電性是引線(xiàn)框架材料必須具備的性能。

 

　?、艹酥猓€需具備良好的冷熱加工性能，彎曲、微細(xì)加工和刻蝕性能好、釬焊性能好、使用中不發(fā)生熱剝離、電鍍性能好、樹(shù)脂的密著性好等一系列加工特性。

 

　?、堇硐肷蟽?yōu)良的引線(xiàn)框架材料強(qiáng)度應(yīng)大于600MPa、硬度HV應(yīng)大于130、電導(dǎo)率(IACS)應(yīng)大于80%。